FHN60N1F10LA低压SGTMOSFET：开启非隔离型直流变换器电路设计的新篇章

文章类别：MOS管资讯发布时间：2025-02-11 浏览量：290 分享至：

低压SGTMOSFET是非隔离型直流变换器的中心，有哪些生产低压SGTMOSFET厂家能有能代替VSP014N10MS型号SGTMOSFET用在非隔离型直流变换器电路图中？

当前状态低压SGTMOSFET市场中，产品质量差低压SGTMOSFET出现的缺点含有：电磁干扰、效率不高等，所述缺点不止是严重搅乱了非隔离型直流变换器设备的正常运行，又促使了维护成本。根据上述分析，找寻到高超的质量的代替型号低压SGTMOSFET产品就显得须要。

非隔离型直流变换器电子工程师在代替VSP014N10MS型号低压SGTMOSFET时，需要认真研究多个重点特性。首先是低压SGTMOSFET的性能参数，例如说电流会不会实现了60安、电压会不会实现了100V等，所述参数直接相关了器件的工作效率。

FHN60N1F10LA在很多国内非隔离型直流变换器生产厂家的选择中，先前早已接替了VSP014N10MS，又可以取得大面积采用。每一人建议您仔细查注意其详细的产品规格：

1、Vgs：±20V
2、场N沟道增强型
3、反向传输电容：23pF
4、静态导通电阻RDS(ON)（VGS=4.5V）：12.5mΩ（Typ）、15.5mΩ（Max）
5、具有60安电流、100V电压
6、100%DVDS热阻测试
7、VGS（th）：1.2-2.4V

根据上述分析打算升高非隔离型直流变换器电路的功率开关能力，飞虹半导体愿意推荐择选FHN60N1F10LA型号低压SGTMOSFET。60安、100V的低压SGTMOSFET，它真正化解产品电磁干扰、效率不高等存在麻烦。

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