欢迎进入飞虹半导体官网，纯国产IGBT|MOS管|场效应管生产厂家 咨询热线： 400-831-6077

飞虹半导体

快速导航

FHP1404V

发布时间：2025-03-01 10:14:50

行业通用名：CS1404 IRF1404PbF HY4004 FTP1404等

查看规格书 >

  • FHP1404V采用先进的沟槽技术，降低了导通损耗，提高了开关性能，提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，实现系统高效率和高可靠性。产品外形是TO-220封装，符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤环保。

免费试样 加入试样清单

获取产品免费试样

您的称呼：
联系方式：
产品试样：

产品参数

Part Number Polarity Package Vgs（±V） VTH（V） ID(A) BVdss(V) Rds（on）(Ω)
型号 极性 封装形式 Vgs=10v
(typ)		 Vgs=10v
(max)		 Vgs=4.5v
(typ)		 Vgs=4.5v
(max)
FHP1404V
N
TO-220
10
3
250
45
1.95
2.5

产品详情

【产品名称】 FHP1404V

【FHP1404V产品类型】Trench  Power  MOSFET  

【FHP1404V产品描述】 FHP1404V采用先进的沟槽技术，降低了导通损耗，提高了开关性能，提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，实现系统高效率和高可靠性。产品外形是TO-220封装，符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤环保。

【FHP1404V可替代市场型号】 CS1404  IRF1404PbF  HY4004  FTP1404

【FHP1404V产品特点】 

（1）100% EAS测试。

（2）100% Rg测试。

（3）100% DVDS瞬间热阻测试。

（4）采用细化分档Vth,进一步提高了产品的一致性高。

（5）通过采用特色的trench工艺，结合优秀的封装BOM材料和生产管控，产品满足工业级需求。

（6）拥有极低的导通内阻RDS(on)，FHP1404V的导通内阻典型值相比IRF1404PbF的低44%。导通损耗低。

（7）雪崩耐量高，抗冲击性能强。

（8）FHP1404V拥有更高的电压余量，BVDSS_typ=55V，应对12V输入电压系统，电压安全系数更高。

【FHP1404V产品应用】：

（1）高频逆变器应用：12V蓄电池输入的车载高频逆变器中的DC/DC推挽拓扑升压电路。

（2）适合12V的全桥拓扑结构的太阳能工频离网逆变器应用。

（3）适合12V输入的音响电源中的DC-DC推挽拓扑升压电路。

（4）适合12V蓄电池供电的UPS不间断电源。

（5）适合大功率高频开关电源上的同步整流。


热门标签： 国产FHP230N06VFHP230N06V国产MOS管代换IPP030N10N3G代换IXFK94N50P2

上一条：

FHP160N06V

下一条： 没有了 返回

FHP1404V产品应用文章

为什么选择飞虹

全方位营销服务体系，15+年FAE经验技术支持

飞虹半导体专注功率器件研发生产

MOS场效应管 / IGBT单管 / 二极管 / 三极管

免费试样：400-831-6077

微信扫一扫,直接沟通!

Trench MOSFET产品应用文章更多>
相关电路解决方案更多>

相关产品推荐

  • FHP18N25W/FHF18N25W
    免费试样
    加入清单

  • FHP20N60W/FHF20N60W/FHA20N60W
    免费试样
    加入清单

  • FHP5N65C/FHF5N65C
    免费试样
    加入清单

  • FHA90N25W

    N沟道增强型VDMOS，ID=90A ，BVDSS=250V ，RDSON：26mΩ-typ，35mΩ-max，TO-3PN封装外形，市场参考型号：CS82N25
    免费试样
    加入清单

  • FHP80N07E/FHS80N07E/FHD80N07E
    免费试样
    加入清单

  • FHP35N20W

    针对功放系统的高效率、低失真度和EMI等特性表现，FHP35N20W采用平面工艺VDMOS,拥有优异的抗冲击特性前提下优化Rdson、Qg、trr等参数，从而广泛适配使用在Class-D功放电路上，如汽车功放、DSP功放上。其他MOS管品牌替代型号：IRFB31N20D 等
    免费试样
    加入清单

  • FHP12N60W/FHF12N60W

    12N60高压场效应管（对标型号：FQP12N60、TK12A60U），F/P封装形式，为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关电源， DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
    免费试样
    加入清单

  • FHA30N65W
    免费试样
    加入清单

  • FHP7N65D/FHF7N65D/FHU7N65D/FHD7N65D

    飞虹FHF7N65F高压mos管，可适用于45W-60W的AC-DC开关电源。
    免费试样
    加入清单

  • FHP1404V

    FHP1404V采用先进的沟槽技术，降低了导通损耗，提高了开关性能，提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，实现系统高效率和高可靠性。产品外形是TO-220封装，符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤环保。
    免费试样
    加入清单

  • FHA28N50W

    FHA28N50W可适用于AC220V输出电压的修正波DC-AC全桥逆变电路（Q3-Q6）。
    免费试样
    加入清单

  • FHP150N03B/FHS150N03B/FHD150N03B

    飞虹150N03C，采用先进的trench工艺来获得优秀的FOM（RDSon*Qg）,广泛使用在UPS、锂电池保护板、负载开关、电动工具等电机驱动控制；其它mos管品牌替代型号：150N03。
    免费试样
    加入清单

  • FHD120N03B
    免费试样
    加入清单

  • FHP30N25W/FHF30N25W
    免费试样
    加入清单

  • FHP8N60W/FHF8N60W
    免费试样
    加入清单

  • FHP150N06B/FHA150N06B

    飞虹150N06B，可适用于12V输入电压的逆变器前级的DC-DC升压电路(Q1-Q2)。对标其它场效应管品牌型号：IRFP064N、3205、HY3606；
    免费试样
    加入清单

  • FHP16N65A/FHF16N65A
    免费试样
    加入清单

  • FHU70N03C/FHD70N03C

    飞虹70N03C采用先进的trench工艺来获得优秀的FOM（RDSon*Qg）,广泛使用在锂电池保护板。其他MOS管品牌替代型号：50N03 70N03
    免费试样
    加入清单

  • FHA60R075AF
    免费试样
    加入清单

  • FHP12N65D/FHF12N65D
    免费试样
    加入清单

  • FHA24N90A

    低导通内阻，高抗dv/dt能力，100% EAS测试（抗冲击能力强），100% DVDS热阻测试（散热性能好），100% Rg测试，可靠性高（满足工业级可靠性要求）。
    免费试样
    加入清单

  • FHP80N08B

    飞虹80N08B场效应管，N沟道沟槽工艺MOS管，适用于逆变器前级电路。其它品牌替代型号：HY3008、IRF3607
    免费试样
    加入清单

  • FHP13N50W/FHF13N50W

    13N50为N沟道增强型高压功率场效应管。该产品广泛适用于DC-AC电源转换器，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动，500W逆变器后级电路/开关电源/紫外线灯电子镇流器。
    免费试样
    加入清单

  • FHP840/FHF840

    840为N沟道增强型高压功率场效应管。该产品广泛适用于300W逆变器后级电路，DC-AC电源转换器，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
    免费试样
    加入清单
      • 飞虹半导体已为10000+电子领域企业提供一站式MOS管解决方案 | 电话 : 400-831-6077
      飞虹半导体已为10000+电子领域企业提供一站式MOS管解决方案 关闭

      收起来

      点击申请
      免费试样