掌握低内阻mos管选型技巧：为何TO-263封装的FHS170N1F4A能胜任锂锰酸锂电池电路？

文章类别：MOS管资讯发布时间：2024-08-04 浏览量：380 分享至：

锂锰酸锂电池在市场驱动的不断壮大中，围绕哪些方式能在业务真实情况中夺冠？主要模块是究竟怎么选择一款纯国产替换SVG104R0NT型号mos管用在锂锰酸锂电池电路中。

低内阻mos管的质量问题如散热效率低、可靠性差等，多半会对锂锰酸锂电池的正常运作造成影响，追求超高质量的替换型号低内阻mos管产品就显得非常重要。

对于锂锰酸锂电池电子设计师而言，在替换SVG104R0NT型号低内阻mos管时，需求专心考虑多个关键因子。首先是低内阻mos管的性能参数，如电流能不能实现了172a、电压能不能实现了100v等，所列参数与器件的工作效率有紧密相关的。

全球锂锰酸锂电池厂商先前早已普遍拣选FHS170N1F4A扮演SVG104R0NT的有效替换，可以获取广泛应用。乐意举荐大家明白其详尽的技术参数：

1、低Crss(典型值33pF)
2、具有172a电流、100v电压
3、雪崩电流：25A
4、阈值电压：2.0-4.0V
5、最高栅源电压Vgs：±20V
6、静态导通电阻：3.4mΩ（Typ）、4.2mΩ（Max）
7、场N沟道增强型

飞虹半导体乐意举荐使用FHS170N1F4A型号的低内阻mos管，以提升加强锂锰酸锂电池电路的控制能力。这种额定参数为172a、100v的低内阻mos管，可以实时解救产品散热效率低、可靠性差等存在难题。

选择飞虹半导体的FHS170N1F4A型号低内阻mos管，予以帮助锂锰酸锂电池厂商解救电路开发难题，确保稳定的元器件供应。咨询热线：400-831-6077，免费试样等你拿！