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在海外器件交期波动与成本压力并存的当下,寻找一款能在性能上替代IRFB4310PBF的国产MOS管选型方案,成为越来越多家储厂商的务实选择。飞虹半导体推出的FHP4310V,147A、100V,正是一款为家储逆变一体机深度适配的N沟道沟槽MOSFET。
面向24V车载高频逆变器DC-DC推挽升压拓扑的选型方案:FHP4310V正是一款适用于该场景的N沟道功率MOS管,100V、147A,采用TO-220封装,并且可代换HY3410、IRFB4310PBF进行使用。
无人机BLDC市场持续增长。飞虹FHP230N06V4 N沟道MOSFET面向24至36V的BLDC,低导通电阻、低热阻,可替代IRFB7537PBF,经100%雪崩、热阻、Rg测试,并提供免费试样与定制。
适用于便携式储能电源DC-DC推挽拓扑升压电路,60V、230A的MOS管:FHP230N06V4,60V、230A,可替代IRFB7537PBF与IRF1404,经过100%雪崩、热阻、Rg测试,为便携储能整机厂推进BOM国产化提供可对照的选型参考。
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