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    飞虹200N4F3A，SGT MOSFET，采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻，飞虹产品具有宽泛的BV电压，快速的开关能力和优异的抗短路性能，TO-220产品广泛应用于各类DC/DC电源转换器,DC-AC逆变器,AC-DC开关电源，UPS，储能电源，BLDC电机驱动等。；其它mos管品牌替代型号：IRF1404、IPP041N04NG。
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    采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻，飞虹产品具有宽泛的BV电压，快速的开关能力和优异的抗短路性能，TO-220产品广泛应用于各类DC/DC电源,DC-AC逆变器,AC-DC开关电源，储能电源，园林工具和BLDC电机驱动等。TO-263产品广泛使用在各类锂电池保护板上。可替代场效管：SVG095R0NT、 IPP052N08N5
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    采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻，飞虹产品具有宽泛的BV电压，快速的开关能力和优异的抗短路性能，TO-220产品广泛应用于各类DC/DC电源,DC-AC逆变器,AC-DC开关电源，储能电源，园林工具和BLDC电机驱动等。TO-263产品广泛使用在各类锂电池保护板上。可替代场效管：STP170N8F7、IPP037N08N3G
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    采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻，飞虹产品具有宽泛的BV电压，快速的开关能力和优异的抗短路性能，TO-220产品广泛应用于各类DC/DC电源转换器,DC-AC逆变器,AC-DC开关电源，UPS，储能电源，BLDC电机驱动等;TO-263产品广泛应用于锂电池组7-8串的BMS保护板。
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