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代换IPT015N10N5场效应管的国产MOS管:FHL385N1F1A更适合PD电源用!

文章类别:精选文章 发布时间:2023-10-20 浏览量:724 分享至:

在充电市场中,PD电源以其产品的特点优势正在不断的蚕食传统的电源适配器的营销份额,尤其是在手机端跟电脑端更为明显。对于PD电源厂家该如何持续的提升自身产品力呢?


本文将从产品的半导体元器件使用的角度来给予建议,对于PD电源是否有比较适用而又能代替IPT015N10N5场效应管的产品呢?


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实际在国产市场中,目前已经有一款385A电流、100V电压参数的MOS管,能更适合的使用在PD电源中。市场上能持续供货的就有FHL385N1F1A这款产品,它是可替代IPT015N10N5场效应管使用的国产MOS管。


因其参数,便决定它能够进行替换IPT015N10N5型号参数,让PD电源更安全。它是由国内专注研发20年的MOS管厂家生产,它作为MOS管源头厂家生产的产品,是可以替换IPT015N10N5型号参数的场效应管。


当然对于电子工程师一定要详细了解产品的参数,那我们来看看飞虹这款FHL385N1F1A的具体产品参数:


具有385A、100V的电流、电压, RDS(on) = 1.5mΩ(MAX) @VGS = 10 V,RDS(on) =1.3mΩ(TYP) @VGS = 10 V,最高栅源电压@VGS =±20 V。


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FHL385N1F1A是一款N沟道增强型场效应晶体管,FHL系列产品采用TOLL-8L封装外形,其封装产品具有低封装内阻、低寄生电感、小体积、低热阻等特点。


这款产品还具体参数值为:Vgs(±V):20;VGS(th):2.0-4.0V;ID(A):385A;BVdss(V):100V。


最大脉冲漏极电流(IDM ):1540(A)、静态导通电阻(typ):1.3mΩ、反向传输电容:940pF。


在PD电源中,MOS管(金属氧化物半导体场效应管)主要扮演着开关和调节电流的角色。因此选择能替代IPT015N10N5场效应管一定要选择优质的国产MOS管。


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在国产化的场效应管替换使用过程中,飞虹国产型号:FHL385N1F1A型号参数来替换IPT015N10N5型号。它工业级的产品特点,让其能更广泛使用在PD电源、电池管理系统(BMS)、同步整流、电动摩托车72V蓄电池电机控制、电动四轮观光车、锂电保护、通信电源等高功率密度应用场景;mos管品牌替代型号:IPT015N10N5。


100V、385A 的MOS管替换使用,选对的型号参数是很重要。飞虹已获得实用专利及发明15项,并与中山大学、中科院合作研发GaN器件。飞虹产品已经在PD电源、DC/DC转换器、BLDC电机驱动中获得广泛应用,帮助合作伙伴解决符合国情、符合国际质量的国内优质产品。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹半导体”即可找到我们,免费试样热线:400-831-6077。



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