纯国产代换的参数证明，FHA75T65A代换FGH75N65SHDT的高压igbt单管特点

文章类别：IGBT资讯发布时间：2024-04-24 浏览量：658 分享至：

对于像高压igbt单管符合精准控制和调节电流的器件需要更加强烈。在大功率便携式储能电源电路设计中，抉择一款全面的的纯国产高压igbt单管器件来代换FGH75N65SHDT型号显得极度要紧的。

高压igbt单管的质量问题如可靠性不高、效率下降、散热不良、电磁干扰、安全效益差等，经常会对大功率便携式储能电源的正常开启造成影响，追求无瑕品质的代换型号高压igbt单管产品就显得极度要紧的。

FGH75N65SHDT型号高压igbt单管在大功率便携式储能电源电子工程中的运用，需要工程师着重关心其性能参数，比如，额定电流能不能实现75安、额定电压能不能实现650V等，所列参数紧密相关着大功率便携式储能电源电路的工作效率。相辅相成的是，器件的热阻和门极阈值电压也重要考量点。

FHA75T65A在许多全球大功率便携式储能电源企业的选择中，初前代替了FGH75N65SHDT，又得到大范围采纳。我们建议您仔细查关心其详细的产品规格：

1、ID (Tc=100℃)：75A；BVCES：650V
2、沟槽栅场截止型IGBT
3、VCEsat典型值：1.75V-typ，＜2.0V
4、TrenchFieldStopIItechnology
5、TrenchFieldStoptechnology等

成熟稳定，寿命质量极好的高压igbt单管!

期许增进大功率便携式储能电源电路的功率开关性能，飞虹半导体非常推举抉择成熟稳定的FHA75T65A型高压igbt单管，其75安、650V的参数有效克服了产品的可靠性不高、效率下降、散热不良、电磁干扰、安全效益差问题。

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