技术创新，国产FHP200N6F3A低压MOSFET的产品优势分析

文章类别：MOS管资讯发布时间：2024-05-06 浏览量：600 分享至：

低压MOSFET是功率逆变器的主要要素，是能直接影响其工作性能。该以何种方式选型低压MOSFET可以获得适合功率逆变器电路图的产品呢？

对于低压MOSFET市场而言，普遍存有产品缩短寿命、散热不良、可靠性弱等未知问题是不容忽视的，确保功率逆变器设备的常规运行，紧急需要寻觅质量好的替代低压MOSFET产品。

功率逆变器电子技术员在替代IPP04N06N3型号低压MOSFET时，需要注意到多个关注重点。首先是低压MOSFET的性能参数，比方电流能否达到了200A、电压能否达到了60伏等，枚举参数关联紧密了器件的工作效率。

在相关案例讲解，FHP200N6F3A现阶段在国内大量功率逆变器生产公司中成功替代IPP04N06N3又可以取得大规模被使用。愿意举荐每个人明白其详细参数：

1、正向最大连续电流：200A
2、静态导通电阻RDS(ON)：2.85mΩ（Typ）、3.5mΩ（Max）
3、N沟道增强型场效应晶体管
4、最高栅源电压：±20V
5、100%Rg测试
6、VGS（th）：2.0-4.0V

谷女士结合拣选飞虹半导体，是因FHP200N6F3A型号专用在功率逆变器。

飞虹半导体愿意举荐使用FHP200N6F3A型号的低压MOSFET，以提升增多功率逆变器电路的转换电流能力。这种额定参数为200A、60伏的低压MOSFET，满足本质化解产品产品缩短寿命、散热不良、可靠性弱等未知问题。

打破功率逆变器电路开发的瓶颈，飞虹半导体低压MOSFET厂家的FHP200N6F3A型号成为功率逆变器生产公司的具有理性的取舍。全面战略一站式标准的元器件供应保障，就在一通电话之遥：400-831-6077。