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让您的降压升压变换器电路更稳定,选定FHN60N1F10LA低压场效应晶体管替代ZMS100N10N

文章类别:MOS管资讯 发布时间:2024-05-13 浏览量:764 分享至:
科技的快速升级鼓励了大功率元件在各个应用产业渐次普及的应用,特为是在降压升压变换器和开关电源等领域,对于低压场效应晶体管这种符合于精确控制和调节电流的器件的要求更加急切。在降压升压变换器电路中,选定一款全面的的国产低压场效应晶体管器件来替代ZMS100N10N型号显得极重要。 如今的形势低压场效应晶体管产品面临安全效益差、电磁干扰影响、可靠性不高等疑问问题,这些都决定影响降压升压变换器设备的正常运作,选定最好能替代低压场效应晶体管极重要。 当降压升压变换器电子技术员进行ZMS100N10N型号低压场效应晶体管的替代时,要求严格把关多个关键条件。首先,低压场效应晶体管的性能参数燃眉之急,好像电流可不可以实现60a、电压可不可以实现100伏等,提及参数决定影响着器件的工作效率。同理,击穿电压(BVCES)和高可靠性也重要组成部分,全面的击穿电压(BVCES)性能符合于增加降压升压变换器的质量。 依据降压升压变换器电子技术员的要求,强烈力推一款低压场效应晶体管产品:FHN60N1F10LA。它在技术参数上精准适合ZMS100N10N,详细任何人可关心参数: 1、RDS(ON)(VGS=4.5V):12.5mΩ(Typ)、15.5mΩ(Max) 2、具有60a电流、100伏电压 3、场N沟道增强型 4、雪崩电流:15A 5、100%Rg测试 6、最高栅源电压:±20V 7、VGS(th):1.2-2.4V 为了优化降压升压变换器电路的转换电流性能,飞虹半导体强烈力推选定FHN60N1F10LA型号的低压场效应晶体管。这款额定电流为60a、额定电压为100伏的低压场效应晶体管,能够有效处理产品安全效益差、电磁干扰影响、可靠性不高等疑问问题。 降压升压变换器等电子产品开发不再棘手,有飞虹半导体的FHN60N1F10LA型号低压场效应晶体管在提供汽车电子、AC-DC转换器等解决实施方针。元器件供货保障稳定,赶紧拨打400-831-6077试样热线体验服务!

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