纯国产MOS管新择选：FHD100N8F6A的技术概述与优势分析

文章类别：MOS管资讯发布时间：2024-06-07 浏览量：254 分享至：

连同技术的突飞猛进，高压大电流开关器件徐徐发展为各个制造业重要程度的部分。后备式不间断电源、工业自动化控制系统等行业对MOS管这一可灵活控制和调节电流的器件的需求节节攀升。在设计后备式不间断电源电路时，择选一款完美的的纯国产MOS管器件来代换STP110N8F6型号焦点。

MOS管市场，有缺陷的产品一般问题包括涵盖：安全效益差、效率不高、可靠性降低等，涉及问题既严重干扰了后备式不间断电源的正常利用，又拉高了维护成本。从这个角度来看，择选出色的品质的MOS管代换产品焦点。

当后备式不间断电源电子技术员进行STP110N8F6型号MOS管的代换时，需求认真对待多个重要条件。首先，MOS管的性能参数刻不容缓，好比说电流会不会实现120安、电压会不会实现85V等，涉及参数密不可分着器件的工作效率。另一考虑因素是，Vcesat饱和压降和热阻(Rth(j-c))也重要考量点，完美的Vcesat饱和压降性能可提高后备式不间断电源的质量。

在实际案例分析，FHD100N8F6A早已于国外丰富后备式不间断电源生产商中成功代换STP110N8F6还得到广泛采纳。告诉每一位知晓其详细参数：

1、场N沟道增强型
2、静态导通电阻：5.3mΩ（Typ）、6.5mΩ（Max）
3、SGT工艺
4、具有120安电流、85V电压
5、阈值电压：2.0-4.0V
6、反向传输电容：18pF
7、Vgs：±20V

飞虹半导体告诉使用FHD100N8F6A型号的MOS管，以提高后备式不间断电源电路的转换电流能力。这种额定参数为120安、85V的MOS管，可真正消解产品安全效益差、效率不高、可靠性降低等难题。

后备式不间断电源等电子产品开发不再为难，有飞虹半导体的FHD100N8F6A型号MOS管在提供汽车电子、不间断电源等解决手段。元器件供货稳定持续性，赶紧拨打400-831-6077试样热线体验服务！