锂电池保护板n沟道增强型MOSFET选择：为何FHS170N1F4A是STP150N10F7的完美代替品？

文章类别：MOS管资讯发布时间：2024-07-06 浏览量：501 分享至：

对锂电池保护板需要172A、100V参数的n沟道增强型MOSFET，该在什么地方选择n沟道增强型MOSFET可以获得适合锂电池保护板电路图的产品呢？

近来的发展n沟道增强型MOSFET产品面临可靠性差、效率下降、安全效益差等疑问，这些都密切关系锂电池保护板设备的常规运作，选定上乘品质能代替n沟道增强型MOSFET很紧要的。

当锂电池保护板电子设计师进行STP150N10F7型号n沟道增强型MOSFET的代替时，需要认真评估多个核心指标。首先，n沟道增强型MOSFET的性能参数万分需要，比如电流能不能达到172安、电压能不能达到100伏等，所列参数密切关系着器件的工作效率。另外，散热效果和电压上升率(dv/dt)也核心的关注点，极致的散热效果性能能够增长锂电池保护板的质量。

依仗了锂电池保护板电子设计师的个别化需要，FHS170N1F4A供应了一个专业的n沟道增强型MOSFET解决良方，其技术规格与STP150N10F7达到同样水平，详情注重其详尽的参数：

1、N沟道场效应晶体管
2、100%EAS测试
3、具有172安电流、100伏电压
4、阈值电压：2.0-4.0V
5、正向最大连续电流：120A
6、最高栅源电压：±20V
7、静态导通电阻RDS(ON)：3.4mΩ（Typ）、4.2mΩ（Max）

飞虹半导体举荐使用FHS170N1F4A型号的n沟道增强型MOSFET，以增长锂电池保护板电路的转换电流能力。这种额定参数为172安、100伏的n沟道增强型MOSFET，能够确实处理产品可靠性差、效率下降、安全效益差等疑问。

飞虹半导体承接的FHS170N1F4A型号n沟道增强型MOSFET，是锂电池保护板、家电和光伏储能电源等电子产品厂商的优选，解决电路开发中的各种问题。保障元器件供应，详情请联系免费试样热线：400-831-6077！