专为电子技术员设计，FHP200N6F3A中低压SGTMOSFET达成国际品牌标准

文章类别：MOS管资讯发布时间：2024-07-29 浏览量：671 分享至：

中低压SGTMOSFET是开关稳压电源的主要设计元素。因为这样，生产哪个中低压SGTMOSFET工厂可获得适合开关稳压电源用的中低压SGTMOSFET产品？

目前的情况中低压SGTMOSFET市场不合格的产品日常有：电磁噪声、可靠性差等缺点，叙述缺点不仅仅是严重搅乱了开关稳压电源设备的正常工作，此外加剧了维护费用。从这个角度来说，寻求比较高品质的中低压SGTMOSFET国产替代型号关键。

开关稳压电源电子工程师在决定IPP04N06N3型号中低压SGTMOSFET时，确定需要注重其性能参数，如，额定电流能否得到200A、电压能否得到60V等，叙述指标与开关稳压电源电路的工作效率直接影响到。进一步来说，反向并行的快恢复和Vcesat饱和压降也是核心方面。

结合了开关稳压电源电子工程师的须要，非常建议一款中低压SGTMOSFET产品：FHP200N6F3A。它在技术参数上精准适宜IPP04N06N3，详细我们可注重参数：

1、静态导通电阻：2.85mΩ（Typ）、3.5mΩ（Max）
2、具有200A电流、60V电压
3、N沟道场效应晶体管
4、最大脉冲漏极电流：800A
5、快速的开关能力
6、最高栅源电压：±20V
7、VGS（th）：2.0-4.0V

飞虹半导体为开关稳压电源公司供应了排解方案：FHP200N6F3A型中低压SGTMOSFET，一个200A、60V的强力参数，它将有效提升抬高开关稳压电源电路的功率开关能力，并排解产品的电磁噪声、可靠性差艰难问题。

选择飞虹半导体的FHP200N6F3A型号中低压SGTMOSFET，推动开关稳压电源公司排解电路开发难题，确保稳定的元器件供应。咨询热线：400-831-6077，免费试样等你拿！