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纯国产替换国外,FHD110N8F5B大功率场效应晶体管参数性能大揭秘

文章类别:MOS管资讯 发布时间:2024-07-31 浏览量:443 分享至:
科技的持续革新推动各个行业对电力电子器件的要求显著提高,关键是开关模式电源和AC-DC转换器等领域,对于能够控制和调节电流的大功率场效应晶体管要求更为渴望。在开关模式电源电路中抉择一款性能完美的纯国产大功率场效应晶体管器件来替换IPP052N08N5型号显得很关键。 目前的局势大功率场效应晶体管市场中,做工粗糙的大功率场效应晶体管常见的危害包含到:散热效率低、产品寿命短、可靠性不高等,以上危害不只是严重干扰了开关模式电源设备的正常运行,而且也是造成了维护成本。基于以上分析,追求非常高品质的替换型号大功率场效应晶体管产品就显得很关键。 当开关模式电源电子技术员抉择IPP052N08N5型号大功率场效应晶体管进行替换时,要求注意到多个关键细节。首先,大功率场效应晶体管的性能参数关键,如同电流能否实现147安、电压能否实现85V等,以上参数直接控制了器件的工作效率。额外的重点是,饱和压降(VCE(sat))和Vcesat饱和压降也重要参数。 FHD110N8F5B成功替换了IPP052N08N5,也在众多国外开关模式电源生产厂中可以获得大规模采用。非常介绍知道其详细技术参数: 1、N沟道增强型场效应晶体管 2、优异的抗短路性能 3、正向最大脉冲电流:480A 4、具有147安电流、85V电压 5、最高栅源电压:±20V 6、RDS(ON):4.4mΩ(Typ)、5.5mΩ(Max) 7、阈值电压VGS(th):2.0-4.0V FHD110N8F5B型号场效应晶体管在开关模式电源的应用中认可度很高,控制稳健。 飞虹半导体非常介绍使用FHD110N8F5B型号的大功率场效应晶体管,以提升抬高开关模式电源电路的转换电流能力。这种额定参数为147安、85V的大功率场效应晶体管,能够满足确实化解产品散热效率低、产品寿命短、可靠性不高等问题。 打破开关模式电源电路开发的瓶颈,飞虹半导体大功率场效应晶体管厂家的FHD110N8F5B型号成为开关模式电源生产厂的最优选项。一站式体系的元器件供应保障,就在一通电话之遥:400-831-6077。

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