纯国产精品，FHP170N1F4A大功率SGTMOSFET的卓越性能与国际型号IPP045N10N3G媲美

文章类别：MOS管资讯发布时间：2024-09-23 浏览量：287 分享至：

随着科技的加速完善，各个工种对电力电子变流器件的要求持续扩张。值得一提的是在逆变器、电视和音响系统等行业，对于控制与调节电流的器件——大功率SGTMOSFET的要求是急需满足。该怎么样选用一款纯国产能国产替代IPP045N10N3G型号用于逆变器电路中的显得极其紧要的。

当前状态大功率SGTMOSFET的质量弊端：电磁噪声、散热问题、可靠性不高等，都对逆变器设备的常规执行造成威胁，从这个层面来讲求助一个出色的品质的国产替代型号大功率SGTMOSFET变得极其紧要的。

在逆变器电子工程中，选用IPP045N10N3G型号大功率SGTMOSFET需要设计师着重关注其性能指标，正如电流可不可以满足172a、电压可不可以实现了100V等，所述指标与逆变器电路的工作效率决定影响。除去上面提及的，器件的击穿电压(BVCES)和关断损耗也重要的关注点，全面的击穿电压(BVCES)性能满足于提升升高逆变器的质量。

在实际案例中，FHP170N1F4A已经在国内多数逆变器厂商中成功国产替代IPP045N10N3G并且能够收获大规模运用。非常愿意建议每一位知了其详细参数：

1、正向最大脉冲电流：480A
2、最高栅源电压Vgs：±20V
3、场N沟道增强型
4、高雪崩耐量
5、具有172a电流、100V电压
6、阈值电压VGS（th）：2.0-4.0V

飞虹半导体非常愿意建议使用FHP170N1F4A型号的大功率SGTMOSFET，以提升升高逆变器电路的功率开关能力。这种额定参数为172a、100V的大功率SGTMOSFET，满足于实际性克服产品电磁噪声、散热问题、可靠性不高等未知问题。

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