低压SGTMOSFET电路性能升级—FHP60N1F10A与IPP126N10N3G性能国产替代

文章类别：MOS管资讯发布时间：2024-10-01 浏览量：386 分享至：

技术的持续优化促进了电力电子开关器件在各个专业遍地开花的应用，特为是在DC/DC电源和数据中心的电源供应等领域，对于低压SGTMOSFET这种符合于精确控制和调节电流的器件的需求更加马上。在DC/DC电源电路中，拣选一款独特的的纯国产低压SGTMOSFET器件来国产替代IPP126N10N3G型号显得首要。

低压SGTMOSFET的质量问题如可靠性降低、效率下降、散热效果不佳等，都是对DC/DC电源的常规执行造成影响，追求很高质量的国产替代型号低压SGTMOSFET产品就显得首要。

IPP126N10N3G型号低压SGTMOSFET在DC/DC电源电子工程中的使用，需要技术员着重考虑其性能参数，例如说，电流能否得到了60安、电压能否得到了100v等，所列参数直接控制着DC/DC电源电路的工作效率。考虑到，器件的反向并行的快恢复和电压上升率(dv/dt)也首要的关注点。

FHP60N1F10A，一款起作用于要求苛刻的DC/DC电源电子技术员的低压SGTMOSFET产品。它在技术上精准适宜IPP126N10N3G，详细参数可考虑：

1、N沟道场效应晶体管
2、具有60安电流、100v电压
3、快速的开关能力
4、阈值电压VGS（th）：2.0-4.0V
5、RDS(ON)：10.2mΩ（Typ）、12mΩ（Max）
6、最高栅源电压：±20V

为了增强DC/DC电源电路的转换电流性能，飞虹半导体乐意举荐拣选型号为FHP60N1F10A的低压SGTMOSFET。这款额定电流60安、额定电压100v的低压SGTMOSFET，符合于现实解除产品可靠性降低、效率下降、散热效果不佳等麻烦。

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