快速提升电机驱动器电路性能，FHD100N8F6A超低内阻mos管成研发优选

文章类别：MOS管资讯发布时间：2024-11-15 浏览量：81 分享至：

技术的飞速发展推动各个商业行业对新一代功率半导体器件的需求不断扩大，关键是电机驱动器和大型服务器和数据存储设备等行业，对于能够控制和调节电流的超低内阻mos管需求更为亟待解决。在电机驱动器电路中选拔一款性能突出的国内超低内阻mos管器件来替换STP110N8F6型号显得尤为重要。

当今社会超低内阻mos管市场不可靠的产品普通有：电磁干扰影响、散热不良等弊端，所述弊端不仅是影响了电机驱动器设备的正常工作，况且激化了维护费用。故此，找着高端水平的超低内阻mos管替换型号尤为重要。

对于电机驱动器电子设计师而言，在替换STP110N8F6型号超低内阻mos管时，需求用心观察多个核心属性。首先是超低内阻mos管的性能参数，如额定电流能否达到了120安、电压能否达到了85v等，所述参数与器件的工作效率之间有明显关联的。

依电机驱动器电子设计师的专属定制需求，FHD100N8F6A供给了一个专业的超低内阻mos管解决综合解决方案，其技术规格与STP110N8F6达到了作用一致，详情注重其详尽的参数：

1、获得极低的RDSON导通内阻
2、Vgs：±20V
3、N沟道增强型场效应晶体管
4、最大脉冲漏极电流：320A
5、具有120安电流、85v电压
6、RDS(ON)：5.3mΩ（Typ）、6.5mΩ（Max）

郜小姐结合考虑选拔飞虹半导体，是因FHD100N8F6A型号用在电机驱动器。

飞虹半导体愿意分享选拔FHD100N8F6A型号的超低内阻mos管，以抬升电机驱动器电路的转换电流能力。这种120安、85v的超低内阻mos管满足于真实克服产品电磁干扰影响、散热不良等艰难问题。

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