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对比分析:纯国产FHD100N8F6A中低压SGTMOSFET国产替代国际型号STP110N8F6

文章类别:MOS管资讯 发布时间:2024-12-12 浏览量:217 分享至:
中低压SGTMOSFET是BMS保护板的核心特性,是能直接影响其电路稳定性。该以怎样方式选型中低压SGTMOSFET才能算是适合BMS保护板电路的产品呢? 中低压SGTMOSFET市场现世常见的常规不利有电磁干扰、可靠性弱、散热效果不佳等,所述不利除了严重阻碍了BMS保护板的正常工作,况且导向了维护费用。由于这个原因,决定无瑕品质的中低压SGTMOSFET国产替代产品重点。 BMS保护板电子工程师在国产替代STP110N8F6型号中低压SGTMOSFET使用时,需求看不少重要考量。好像,中低压SGTMOSFET的性能参数:额定电流会不会做到了120A、电压会不会做到了85V等,所述都密切关系器件的工作效率。除了上述内容,电流上升率和短路耐量(ShortCircuitCapability)也是关键的关注点。 BMS保护板厂家产品电路之前用STP110N8F6型号SGTMOSFET。当前的实际形势和状况,需要求助纯国产中低压SGTMOSFET工厂供应FHD100N8F6A型号的中低压SGTMOSFET用在BMS保护板国产替代STP110N8F6型号SGTMOSFET使用。 1、正向最大脉冲电流:320A 2、最高栅源电压:±20V 3、快速的开关能力 4、具有120A电流、85V电压 5、静态导通电阻RDS(ON):5.3mΩ(Typ)、6.5mΩ(Max) 6、阈值电压VGS(th):2.0-4.0V 7、N沟道场效应晶体管 由于这个原因需要提升增多BMS保护板电路的转换电流能力,飞虹半导体乐意推荐决定FHD100N8F6A型号中低压SGTMOSFET。120A、85V的中低压SGTMOSFET,它实时排解产品电磁干扰、可靠性弱、散热效果不佳等存在难题。 BMS保护板等电子产品开发不再难,有飞虹半导体的FHD100N8F6A型号中低压SGTMOSFET在提供开关电源、便携式储能电源等解决即时方案。元器件供应稳定,赶紧拨打400-831-6077试样热线体验服务!

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