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FHS200N4F3A场效应晶体管的性能细节解析，让BMS电路更高效

文章类别：MOS管资讯 发布时间：2024-12-19 浏览量：105 分享至：
场效应晶体管是BMS的核心功能模块。继而，找出哪些场效应晶体管制造商可以具有适合BMS用的场效应晶体管产品？ 场效应晶体管的质量问题如电磁噪声、散热能力低、效率不高等，可以会对BMS的常规运转造成影响，找到优异品质的替代型号场效应晶体管产品就显得重点。 在BMS电子工程中，IPP041N04NG型号场效应晶体管的选拔须要技术员重点考虑其性能指标。正如，额定电流会不会满足200A、额定电压会不会实现40v等，所述指标主要影响着器件的工作效率。 FHS200N4F3A，一款被广泛用于要求非常苛刻的BMS电子技术员的场效应晶体管产品。它在技术上同步IPP041N04NG，详实参数可考虑： 1、N沟道增强型场效应晶体管 2、具有200A电流、40v电压 3、RoHS产品 4、最大脉冲漏极电流：800A 5、VGS（th）：2.0-4.0V 6、RDS(ON)：2.4mΩ（Typ）、3.1mΩ（Max） 7、最高栅源电压Vgs：±20V 抬高BMS电路性能的究其原因转换电流能力，飞虹半导体的FHS200N4F3A型场效应晶体管以其200A、40v的强大参数，确保排解产品的电磁噪声、散热能力低、效率不高疑问。 BMS等电子产品开发不再吃力，有飞虹半导体的FHS200N4F3A型号场效应晶体管在提供开关电源、DC-AC逆变器等解决手段。元器件供货保障稳固，赶紧拨打400-831-6077试样热线体验服务！

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