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限时优惠!飞虹170N1F4A场效应晶体管,高效替代HYG042N10NS1P,助力储能电源升级

文章类别:MOS管资讯 发布时间:2025-04-18 浏览量:208 分享至:
在当今快速发展的电子行业中,选择合适的场效应晶体管(MOSFET)对于提升产品性能和降低成本至关重要。飞虹半导体,作为国内大功率MOS管的重点封装基地之一,推出的170N1F4A场效应晶体管,凭借其卓越的性能和可靠性,正逐渐成为工程师们的首选。 ### 170N1F4A:高效替代HYG042N10NS1P 飞虹170N1F4A采用先进的SGT工艺,显著降低了导通内阻(RDSON)和品质因子(FOM),使其在快速硬开关和高转换效率方面表现出色。与市场上常见的HYG042N10NS1P相比,170N1F4A在相同应用场景下,不仅性能更优,而且成本更为可控,是替代HYG042N10NS1P的理想选择。 ### 储能电源领域的卓越表现 在储能电源领域,170N1F4A展现了其强大的应用潜力。其优异的抗短路脉冲电流性能和高效的转换效率,使得它在DC-DC升压结构、半桥、全桥结构等应用中表现出色。无论是户外储能电源还是家用储能系统,170N1F4A都能提供稳定可靠的性能支持,确保系统的高效运行。 ### 性价比与供货稳定性 对于工厂采购与供应链人员而言,170N1F4A不仅性能卓越,更在性价比和供货稳定性方面具有显著优势。飞虹半导体作为国内知名厂商,拥有完善的供应链体系,能够确保产品的及时交付和长期备货,有效避免因缺货导致的生产停滞。 ### 技术支持与可靠性 飞虹半导体提供全面的技术支持,包括数据手册、参考设计、失效分析等,帮助工程师更好地理解和应用170N1F4A。此外,产品经过100%雪崩测试、热阻测试和Rg测试,确保其在高功率场景下的可靠性和长寿命。 ### 限时优惠,免费试样 为了回馈广大客户,飞虹半导体现推出限时优惠活动,欢迎广大工程师和采购人员申请免费试样,亲身体验170N1F4A的卓越性能。百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线:400-831-6077,了解更多详情并申请试样。 选择飞虹170N1F4A,不仅是对产品性能的信任,更是对国产半导体技术的支持。让我们携手共进,推动中国半导体产业的蓬勃发展。

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