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欢迎进入飞虹半导体官网,纯国产IGBT|MOS管|场效应管生产厂家 咨询热线: 400-831-6077
在DC/DC电源、逆变器或锂电池保护板的实际选型中,很多工程师都遇到过同一个场景:设计时选用了STP170N8F7,但一到量产阶段,采购同事就反馈“交期不稳定”“价格又涨了”。拆机件、翻新件充斥市场,一次批次品质波动就可能导致整批产品返修。此时,一款参数对标、性能可靠的国产替代就显得尤为关键。
飞虹半导体推出的SGT MOSFET——170N8F3A,正是为替换STP170N8F7而设计的。作为一家拥有20亩自有厂区、13000平方米制造车间的场效应管工厂,飞虹从晶圆到封装实行全链条品控,产品经过100%雪崩测试、100%Rg测试、100%热阻测试,确保每一颗MOS管的可靠性。
从核心电气参数来看:170N8F3A的VDS(漏源电压)典型值为85V,连续漏极电流在TC=25℃时可达185A(硅限制),导通电阻RDS(ON)低至2.95mΩ(典型值),这些关键指标与STP170N8F7处于同一量级,尤其适用于大电流、低损耗场景。更重要的是,其栅极电荷Qg仅124nC,配合快速的开关特性(开启延迟41ns,关闭延迟76ns),可有效降低驱动损耗,在推挽、半桥或全桥拓扑中表现稳定。
代换要点: 由于两款产品的驱动电压范围(VGS(th)=2.0~4.0V)基本一致,且均为N沟道增强型,工程师无需大幅修改驱动电路即可直接代换。飞虹还提供TO-220、TO-263、TO-3PN三种封装,灵活适配现有PCB布局。
170N8F3A的宽泛BV特性(典型值96V)使其在13~17串锂电池保护板上能有效承担充放电保护功能,同时SGT工艺带来的低导通电阻和快速开关性能,也使其在储能电源、太阳能控制器、逆变器的DC-DC升压环节表现出色。此外,园林工具、电动工具中的BLDC电机驱动,同样能从其低输入电容(Ciss=6234pF)中获益,降低高频开关损耗。
对工厂采购与供应链人员而言,场效应管工厂的直供模式能带来三重保障:一是交期可控,飞虹位于广州保税区,300余名员工确保月产能稳定;二是品质可追溯,每批次产品附带100%EAS、100%Rg测试报告,杜绝翻新料;三是技术支持到位,针对不同应用提供匹配的散热建议。在当前供应链波动背景下,选择一款经过实测验证的国产替代,既能化解缺货风险,又能为企业实际降本。
总结来说,170N8F3A在参数规格上完全可以胜任对STP170N8F7的代换,且拥有更优的供货稳定性与性价比。下次设计评审或采购寻源时,不妨将这颗MOS管纳入考察清单。
(本文仅作技术交流,具体选型请结合实际电路验证。)
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