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12 06 2024

国产MOS管新品发布：FHP230N06V无缝代换CS160N06、HY3906P、IRFB7537PBF参数！

国产MOS管新产品推介：FHP230N06V型号，在应用端可以用于高频逆变器、工频逆变器、户外储能电源、电机控制器、UPS不间断电源、高频开关电源等产品电路中。
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11 29 2024

FHP230N06V

FHP230N06V采用先进的沟槽技术，降低了导通损耗，提高了开关性能，提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，实现系统小型化和高效率。产品外形是TO-220封装，符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤环保。
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11 15 2024

国产MOS管新品发布：FHP1906V无缝代换HY1906、IRFB7545PbF参数！

飞虹半导体针对逆变器、DC-DC转换器、电机控制和驱动的厂商需求，推出国产MOS管新产品：FHP1906V型号。 FHP1906V作为N沟道增强型场效应晶体管，它采用先进的沟槽技术，降低了导通损耗，提高了开关性能，提高了雪崩能量。
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11 12 2024

FHP1906V

FHP1906V采用先进的沟槽技术，降低了导通损耗，提高了开关性能，提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，实现系统小型化和高效率。产品外形是TO-220封装，符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤环保。
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06 12 2024

国内低压mos管型号：FHS120N7F6A，代替HY1906参数的秘密

为了提高保护板电路的功率开关效率，飞虹半导体推上FHS120N7F6A型低压mos管。凭借120a和70V的优越参数，轻松解救产品散热不良、可靠性弱、效率不高、电磁噪声的疑难问题。
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08 14 2024

低内阻mos管震撼升级，国内FHP120N7F6A为何能代替HY1906

FHP120N7F6A在众多国外BLDC驱动器厂家的选择中，初前取代了HY1906，还获取广泛采纳。我们建议您仔细查关切其详细的产品规格：
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06 10 2024

轻松替代FGH60N60SMD，FHA60T65A大功率IGBT管成本效益分析

在逆变电源电子工程中，选取FGH60N60SMD型号大功率IGBT管需要技术员着重看其性能指标，好比说额定电流会不会满足60安、电压会不会实现650v等，枚举指标与逆变电源电路的工作效率关系到。额外的考虑因素是，器件的短路耐量(ShortCircuitCapability)和门极阈值电压也重要的因素，强大的短路耐量(ShortCircuitCapability)性能能够满足提升加强逆变电源的质量。
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09 20 2024

130N10A场效应管代换IRFB4410型号用于光伏24V逆变器！

光伏逆变器能将光伏太阳能电池板产生的直流电（DC）转换为交流电（AC），在应用中光伏逆变器有多种不同的输入电压规格，包括12V、24V、48V等。
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06 11 2024

FHF20T60A与NCE20TD60BF，谁是冰箱电路设计的最佳拍档

伴以科技的日益进步，各个服务产业对电力电子元件的需求大量增加。其中主要是在冰箱、LED灯光等行业，对于控制与调节电流的器件——耐压IGBT的需求是极为紧迫。究竟怎么挑选一款纯国产能国产替代NCE20TD60BF型号用于冰箱电路中的显得十分紧要的。
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12 15 2024

全桥拓扑都选用的国产MOS管，代换IRFB7545PbF型号参数提升转换效率！

​全桥拓扑相比于半桥或推挽拓扑，具有更高的功率处理能力、对称的电压转换特性以及更好的效率，常常适用于高功率和高效率要求的应用场景。比如：不间断电源（UPS）、电源转换器、电源转换器、音频放大器等等。
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09 13 2024

igbt单管电路性能升级—FHF20T60A与NCE20TD60BF性能国产替代

为了优化无源逆变器电路的转换电流性能，飞虹半导体强烈力推抉择FHF20T60A型号的igbt单管。这款额定电流为20a、额定电压为650V的igbt单管，能够有效解除产品散热效率低、产品缩短寿命等障碍问题。
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11 23 2024

BLDC电机驱动控制器的精度提升，你选对能代换IRFB7545PbF型号的MOS管没？

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08 03 2024

电路新风向，FHS110N8F5B低压mos管是否替换SVG095R0NT

低压mos管的质量问题如散热能力低、可靠性降低、效率不高等，可以能对锂锰酸锂电池的正常运行造成影响，探索高端水平的替换型号低压mos管产品就显得超级关键。
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06 26 2024

FHS170N1F4A低内阻SGTMOSFET，竞争国际品牌HYG045N10NS1P的国产之力

对于锂锰酸锂电池电子设计师而言，在替代HYG045N10NS1P型号低内阻SGTMOSFET时，须要仔细查看多个核心指标。首先是低内阻SGTMOSFET的性能参数，如电流能否到达172A、电压能否到达100v等，提及参数与器件的工作效率有直接牵连的。
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06 28 2024

从FGH60N60SMD到FHA60T65A：户外应急电源高压igbt选型的新风向标

户外应急电源电子工程师在抉择FGH60N60SMD型号高压igbt进行代替时，需求特别考虑其性能指标，好比说电流能不能满足60A、电压能不能得到650v等，以上指标直接控制了器件的工作效率。需要注意的是，器件的Vcesat饱和压降和拖尾电流也核心环节。
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07 22 2024

换一种大功率IGBT管选型思考：FHF20T60A能替代NCE20TD60BF的参数

对户外储能电源需要20A、650V参数的大功率IGBT管，该如何选型大功率IGBT管才能适合户外储能电源电路图的产品呢？
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07 30 2024

电路新风向，FHS110N8F5B低压MOS管会不会替换SVG095R0NT

为了提高BMS保护板电路的转换电流性能，飞虹半导体强烈告诉选定型号为FHS110N8F5B的低压MOS管。这款额定电流147安、额定电压85伏的低压MOS管，可以实质处理产品电磁干扰、可靠性不高、散热问题等疑难问题。
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11 18 2024

国内MOSFET型号：FHS170N8F3A，替换IPP037N08N3G参数的秘密

对于13-17串的BMS保护板电子技术员而言，在替换IPP037N08N3G型号MOSFET时，需求特别留意多个重点细节。首先是MOSFET的性能参数，如额定电流能否做到185a、额定电压能否做到85V等，前述参数与器件的工作效率有明显相互关系的。
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09 25 2024

SGTMOSFET新星，为何FHP170N8F3A能胜任替换STP170N8F7的任务

飞虹半导体为变频器生产厂家供应了处理方案：FHP170N8F3A型SGTMOSFET，一个185安、85伏的强力参数，它将有效提升增加变频器电路的转换电流能力，并处理产品的效率不高、散热效果不佳、可靠性差麻烦问题。
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12 14 2024

FHS100N8F6A与STP110N8F6，n沟道增强型SGTMOSFET参数深度解读

n沟道增强型SGTMOSFET的质量问题如安全效益差、效率不高、电磁噪声等，往往会对13串锂电池保护板的正常活动造成影响，找寻到高超的质量的代替型号n沟道增强型SGTMOSFET产品就显得十分重要。
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