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产品参数
| Part Number | Polarity | Package | Vgs(±V) | VTH(V) | ID(A) | BVdss(V) | Rds(on)(Ω) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 型号 | 极性 | 封装形式 | Vgs=10v(typ) | Vgs=10v(max) | ||||
FHP640A | N | TO-220 | 30 | 2~4 | 18 | 200 | 0.125 | 0.18 |
产品详情
【产品描述】
FHP640A,可适用于48V/60V输入逆变器前级DC-DC升压电路(Q1-Q2),也可适用于AC110V输出电压的修正波DC-AC全桥逆变电路(Q3-Q6)。可替代IR场效应管品牌型号:IRF640;
【产品特点】
飞虹640Amos管,一致性好,高可靠性,雪崩耐量高。
【应用举例】
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本文通过专家访谈解析国产MOS管选型要点,揭示飞虹640A在DC-AC全桥逆变电路中替代IRF640的技术优势与可靠性验证。
飞虹半导体推出的640A MOSFET,专为48V/60V输入逆变器前级DC-DC升压电路设计,提供高效、可靠的性能,是IRF640的理想国产替代方案。
本文通过逆变器电路案例,详解如何根据VDS、Rds(on)等关键参数选择匹配的MOS管型号,并分析国产FHP640A在替代IRF640时的性能优势。
本文深度解析飞虹FHP640A MOSFET在48V/60V逆变器前级DC-DC升压电路中的代换方案,从雪崩耐量测试到动态特性匹配,帮助工程师突破国产器件选型困境。
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