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产品参数
| Part Number | Polarity | Package | Vgs(±V) | VTH(V) | ID(A) | BVdss(V) | Rds(on)(mΩ) | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 型号 | 极性 | 封装形式 | Vgs=10v(typ) | Vgs=10v(max) | Vgs=4.5v(typ) | Vgs=4.5v(max) | ||||
FHP1906A | N | TO-220 | 20 | 2~4 | 120 | 60 | 5.2 | 6 | ||
产品详情
【飞虹1906A产品类型】
N-channel Trench MOSFET
【飞虹1906A产品描述】
飞虹1906A采用先进的trench工艺来获得优秀的FOM(RDSon*Qg),广泛使用在逆变器、储能电源上。其他MOS管品牌替代型号:1906 等。
【飞虹1906A产品特点】
100% EAS测试,100% Rg测试,100% DVDS测试,高雪崩耐量,可靠性高,低Qgd,低RDSon。
【飞虹1906A应用举例】

FHP1906A适用于储能电源和各类逆变器的DC-DC升压模块的推挽结构电路中,例如原理图上的Q1-Q2。
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本文深度解析国产MOS管技术突破,重点介绍飞虹半导体FHP1906A场效应晶体管在逆变器推挽电路中的性能优势与选型策略,为工程师提供高性价比替代方案。
深度解析飞虹半导体SGTMOSFET FHP1906A在逆变器推挽电路中的参数优势,对比替代型号1906的性能差异,提供专业选型指导。
本文通过访谈飞虹半导体技术总监,揭秘国产MOS管FHP1906V在车载高频逆变器DC/DC推挽拓扑中的关键技术突破,解析其如何通过100%雪崩测试等工艺实现进口替代。
本文通过实测案例解析飞虹半导体TrenchMOSFET FHP1906A在储能电源推挽电路中的关键性能表现,为工程师提供国产替代方案的技术参考。
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