欢迎进入飞虹半导体官网，纯国产IGBT|MOS管|场效应管生产厂家 咨询热线： 400-831-6077

飞虹半导体

快速导航

FHP1906A

发布时间：2022-07-13 11:42:21

行业通用名：1906 等等

查看规格书 >

  • 飞虹1906A采用先进的trench工艺来获得优秀的FOM（RDSon*Qg）,广泛使用在逆变器、储能电源上。其他MOS管品牌替代型号：1906 等

免费试样 加入试样清单

获取产品免费试样

您的称呼：
联系方式：
产品试样：

产品参数

Part Number Polarity Package Vgs（±V） VTH（V） ID(A) BVdss(V) Rds（on）(Ω)
型号 极性 封装形式 Vgs=10v
(typ)		 Vgs=10v
(max)		 Vgs=4.5v
(typ)		 Vgs=4.5v
(max)
FHP1906A
N
TO-220
20
2～4
120
60
5.2
6

产品详情

【飞虹1906A产品类型】

N-channel Trench MOSFET


【飞虹1906A产品描述】

      飞虹1906A采用先进的trench工艺来获得优秀的FOM（RDSon*Qg）,广泛使用在逆变器、储能电源上。其他MOS管品牌替代型号：1906  等。



【飞虹1906A产品特点】

      100% EAS测试，100% Rg测试，100% DVDS测试，高雪崩耐量，可靠性高,低Qgd，低RDSon。


【飞虹1906A应用举例】





     FHP1906A适用于储能电源和各类逆变器的DC-DC升压模块的推挽结构电路中，例如原理图上的Q1-Q2。


热门标签： 国产FHP230N06VFHP230N06V国产MOS管代换HY3906P型号HY3906P型号参数

上一条：

FHP130N10C

下一条：

FHU70N03C/FHD70N03C

返回

FHP1906A产品应用文章

为什么选择飞虹

全方位营销服务体系，15+年FAE经验技术支持

飞虹半导体专注功率器件研发生产

MOS场效应管 / IGBT单管 / 二极管 / 三极管

免费试样：400-831-6077

微信扫一扫,直接沟通!

Trench MOSFET产品应用文章更多>
相关电路解决方案更多>

相关产品推荐

  • FHA24N60W
    免费试样
    加入清单

  • FHA24N50W

    飞虹FHA24N50W，plane VDMOSFET，采用平面工艺芯片，拥有高抗冲击能力，适用于各类开关电源，可用在1500W额定功率逆变器全桥电路结构上，最大可支持到2000W功率，完全足够适用在1500W额定功率的逆变器上，可完全替代飞虹原有的FHA24N50B和ON的FDA24N50/FDA24N50F型号。
    免费试样
    加入清单

  • FHP80N07L
    免费试样
    加入清单

  • FHP100N08

    飞虹100N08低压场效应管（对标替代型号：STP75NF75、HY3208） ，N沟道沟槽工艺MOS管，适用于DC-AC全桥逆变。
    免费试样
    加入清单

  • FHP630A/FHF630A/FHD630A

    FHP630A可适用于48V/60V输入逆变器前级DC-DC升压电路（Q1-Q2），应用于DC-AC逆变电源、DC-DC电源转换器、高压H桥PMW马达驱动、电子镇流器、高配开关电源等行业产品
    免费试样
    加入清单

  • FHA260W
    免费试样
    加入清单

  • FHP65R260B/FHF65R260B/FHA65R260B

    飞虹65R260A，N沟道 Cool-MOS管，主要应用于开关电源。对标其它场效应管品牌型号：IPA60R360P7S；
    免费试样
    加入清单

  • FHP20N65B/FHF20N65B/FHA20N65B

    20N65B为N沟道增强型VDMOS，采用平面工艺，该产品广泛适用于AC-DC开关电源，比如：LED照明驱动电源；工业自动化设备配套电源；医疗设备电源；锂电池充电器；电源适配器，其他MOS管品牌替代型号：20N65 等。
    免费试样
    加入清单

  • FHP12N65W/FHF12N65W

    12N65为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于各类开关电源，120~150W的AC-DC开关电源。，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
    免费试样
    加入清单

  • FHA65N25W
    免费试样
    加入清单

  • FHP1404

    飞虹1404，N沟道沟槽工艺MOS管，适用于500W/12V输入的逆变器的前级电路。可替代场效管：IRF1404、HY4004
    免费试样
    加入清单

  • FHP4N60C/FHF4N60C/FHU4N60C/FHD4N60C

    FHP4N60为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。 该产品广泛适用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器， 高压H桥PMW马达驱动。其它品牌替代型号：FQP4N60；
    免费试样
    加入清单

  • FHP80N07G/FHS80N07G/FHD80N07G
    免费试样
    加入清单

  • FHP5N65C/FHF5N65C
    免费试样
    加入清单

  • FHA60R043AF
    免费试样
    加入清单

  • FHU70N03C/FHD70N03C
    免费试样
    加入清单

  • FHP20N50W/FHF20N50W/FHA20N50W
    免费试样
    加入清单

  • FHP20N65W/FHF20N65W/FHA20N65W
    免费试样
    加入清单

  • FHA50N25W
    免费试样
    加入清单

  • FHU70N03C/FHD70N03C

    飞虹70N03C采用先进的trench工艺来获得优秀的FOM（RDSon*Qg）,广泛使用在锂电池保护板。其他MOS管品牌替代型号：50N03 70N03
    免费试样
    加入清单

  • FHP4310V

    FHP4310V采用先进的沟槽技术，结合更优的工艺条件、精细优化器件结构，使产品拥有极低的导通电阻并优化了开关特性和可靠性。该晶体管可提供TO-220封装外形，可适用于UPS、逆变器、电机驱动控制和各类高频硬开关。产品符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤要求。
    免费试样
    加入清单

  • FHP160N06V

    FHP160N06V采用先进的trench技术，在降低了导通损耗的同时，还提高了开关性能和雪崩能量。该产品采用TO-220封装，可用于各种功率开关电路。产品符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤环保。
    免费试样
    加入清单

  • FHP20N60W/FHF20N60W/FHA20N60W
    免费试样
    加入清单

  • FHK94N50A

    N沟道增强型VDMOS-with frd ，ID=94A ，BVDSS=500V ，RDSON：47mΩ-typ，65mΩ-max，TO-264封装外形，市场参考型号：IXYS品牌 IXFK94N50P2
    免费试样
    加入清单
      • 飞虹半导体已为10000+电子领域企业提供一站式MOS管解决方案 | 电话 : 400-831-6077
      飞虹半导体已为10000+电子领域企业提供一站式MOS管解决方案 关闭

      收起来

      点击申请
      免费试样