全桥拓扑相比于半桥或推挽拓扑，具有更高的功率处理能力、对称的电压转换特性以及更好的效率，常常适用于高功率和高效率要求的应用场景。比如：不间断电源（UPS）、电源转换器、电源转换器、音频放大器等等。

本文重点介绍的这一款MOS管是验证用于12V/24蓄电池搭配的UPS中的全桥拓扑电路中。此类UPS通常在SOHO小型化办公室和家庭办公需求的设备中使用。它是一款纯国产MOS管并能替代IRFB7545PbF型号场效应管使用。

它就是来自飞虹半导体研发、生产的FHP1906V型号MOS管，能够代换IRFB7545PbF、HY1906、FHP1906A等型号的国产MOS管来应用于全桥拓扑！

它作为一款N沟道增强型场效应管，以其120A、60V的电流、电压特性，电子工程师不仅可以应用于全桥拓扑中，还可以用于DC-DC转换器、逆变器、电机控制和驱动等应用场景。

这款FHP1906V场效应管产品具体参数：Vgs（±V）：30；VTH（V）：3；ID（A）：120；BVdss（V）：60。RDS (on) = 5.0mΩ(typ)@V GS =10V、RDS (on) = 6.0mΩ(max)@V GS =10V。

上述参数都是FHP1906V能代换IRFB7545PbF作用于全桥拓扑解决全桥电路的效率、功率密度、热管理和整体可靠性等问题。

除此以外，FHP1906V的主要封装形式是TO-220封装，符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤环保。

采用先进的沟槽技术，降低了导通损耗，提高了开关性能，提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，实现系统小型化和高效率。

若要介绍一款120A电流、60V电压的MOS管，优先推荐纯国产的FHP1906V型号来代换IRFB7545PbF应用于全桥拓扑中使用。

120A、60V的MOS管代换使用，对于全桥拓扑选对型号很重要。飞虹半导体的MOS管不仅广泛应用于全桥拓扑中，还可用于变频器、光伏逆变器、电焊机和工业缝纫机等终端应用场景。

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