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本文从储能电源发展前景切入,分析飞虹半导体170N8F3A场效应管如何通过优异参数实现IPP037N08N3G的替换,助力电子工程师优化电路设计。
本文分析飞虹半导体200N6F3A MOS管在DC-DC升压结构和SR同步整流应用中的优势,结合低导通电阻、快速开关等参数,为电子工程师提供选型指导,助力电路设计优化。
本文解析飞虹半导体170N8F3A MOS管代换STP170N8F7的参数优势与应用场景,为电子工程师提供选型指导,优化电路设计。
本文探讨飞虹半导体170N8F3A MOS管在储能电源、电机驱动等领域的应用优势,结合参数分析其如何解决工程师选型痛点,助力电路设计优化。
当工程师的手指在发热的电路板上反复调试时,飞虹半导体用FHA40T65A的1.51V超低饱和压降给出了答案——这款可完美代换FGH40N60SFD的国产IGBT管,正在重新定义户外储能电源的可靠性标准。
本文解析飞虹半导体IGBT单管FHA40T65A在影碟机变频器应用中的性能优势,对比进口型号FGH40N60SFD的替代可行性,为采购决策提供技术参考。
当工程师为冰箱压缩机选型遭遇假货困扰时,飞虹半导体FHA75T65A以1.75V超低饱和压降和300人封装基地的品控实力,成为替代FGH75N65SHDT的可靠选择。
飞虹半导体国产高压IGBT单管FHA60T65A通过Trench-FS技术实现650V/60A高效能,专为空调变频器设计,可完美替换FGH60N60SMD,现开放免费试样并提供供应链保障方案。
锂电池保护板就像是电池组的“智能大脑”和“安全卫士”,目前13到17串的锂电池保护板已经广泛用于电动自行车、电动摩托车、电动工具、航模电池组、户外电源、太阳能、风能路灯等产品。
在5G电源、车载逆变器、UPS等高效能电源系统中,工程师常选用IPP045N10N3G、HYG045N10NS1B、STI150N10F7等MOS管作为功率开关器件。
在锂电池保护板的设计中,MOS管作为关键功率开关器件,直接影响系统的安全性、效率和可靠性。选择合适的MOS管,不仅关系到电池的过充、过放、过流保护性能,也直接影响整机的功耗与热管理表现。
常见设计中,工程师常选用STP110N8F6等中低压MOS管作为功率开关器件。
4月,作为国内深耕于IGBT、MOS管的厂家代表,飞虹半导体成功参加了第104届中国电子展(深圳)以及慕尼黑上海电子展,两大行业盛会圆满落幕。
第104届中国电子展即CITE2025即将在深圳会展中心(福田)隆重举办。2025年4月9-11日飞虹半导体受邀参展,携其在大功率分立器件领域的创新成果——MOS管、IGBT、肖特基等系列产品亮相展会。与参展者围绕“科技创新·“圳”在变革”的主题共襄盛典,展望电子产业的未来。
在辞旧迎新之际,广州飞虹半导体科技有限公司党支部积极响应党的号召,深入贯彻落实习近平新时代中国特色社会主义思想,全面落实党的二十大及第二十届二中、三中全会精神。
在炽热的八月,我们迎来了骄阳似火的2024世界太阳能光伏暨储能产业博览会。为期三天的盛会在广州·中国进出口商品交易会展馆B区圆满落幕,这不仅是一次业内顶级的交流平台,更是全球光储产业发展的重要见证。飞虹半导体作为其中一员,感受到了来自同行与客户的热情关注,并借此新闻稿对所有的支持与关注表示衷心的感谢。
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