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本文详细解析飞虹半导体170N8F3A MOS管在参数和应用上如何匹配并优于IPP037N08N3G,帮助电子工程师优化电路选型,提升设计可靠性。
随着绿色能源兴起,太阳能逆变器市场高速增长,对高效MOS管需求激增。本文解析飞虹半导体250N1F2A如何以优异参数和稳定性,完美代换英飞凌IPP030N10N3G,助力电子工程师优化选型与供应链。
本文分析飞虹半导体170N1F4A SGT MOSFET在DC-DC升压和电机驱动领域的应用优势,结合参数讲解选型技巧,帮助工程师优化电路设计并替代进口型号。
本文分析了飞虹半导体MOS管250N1F2A在MPPT控制器中的应用,结合参数特点解释其高效性和可替换英飞凌IPP030N10N3G的优势,帮助工程师优化选型。
本文详细解析飞虹半导体IGBT单管FHA25T120A如何高效替换ON品牌NGTB25N120FL2WG,从参数对比到选型技巧,助力电子工程师优化电路设计并提升供应链稳定性。
本文针对车载正弦波逆变器应用,详细解析飞虹半导体IGBT单管20T60A的性能优势,结合关键参数说明其替换NCE20TD60BF的可行性,并为电子工程师提供实用的选型参考。
本文分析飞虹半导体IGBT管FHA60T65A在光伏逆变器应用中的优势,结合参数讲解其低损耗、高可靠性特点,为电子工程师选型提供实用参考。
本文解析飞虹半导体IGBT单管FHA75T65V1DL如何通过先进技术参数,实现与JT075N065WED等进口型号的完美替换,为工程师提供可靠选型指南。
FHA75T65V1DL作为一款飞虹第七代场截止(Trench Field Stop VII)技术工艺设计的IGBT单管,采用TO-247封装,具备具有极低的VCE(sat)和极短的拖尾电流。可广泛适用于太阳能逆变器、UPS、变频器、电焊机以及所有硬开关等电路设计。
在电子制造业国产化替代浪潮下,越来越多的工程师在了解飞虹半导体研发的FHF20T60A型号IGBT单管,通过精准参数设计与工艺优化,该款IGBT单管已实现可代换SGT20T60SDM1P7的型号参数,为高频车载逆变器电路等场景提供可靠解决方案。
FHP170N8F3A作为一款高性能N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220封装,具备优异的电气特性与可靠性
TO-220封装因其结构坚固、安装方便、散热性能优良,广泛应用于各类中高功率场合
4月,作为国内深耕于IGBT、MOS管的厂家代表,飞虹半导体成功参加了第104届中国电子展(深圳)以及慕尼黑上海电子展,两大行业盛会圆满落幕。
第104届中国电子展即CITE2025即将在深圳会展中心(福田)隆重举办。2025年4月9-11日飞虹半导体受邀参展,携其在大功率分立器件领域的创新成果——MOS管、IGBT、肖特基等系列产品亮相展会。与参展者围绕“科技创新·“圳”在变革”的主题共襄盛典,展望电子产业的未来。
在辞旧迎新之际,广州飞虹半导体科技有限公司党支部积极响应党的号召,深入贯彻落实习近平新时代中国特色社会主义思想,全面落实党的二十大及第二十届二中、三中全会精神。
在炽热的八月,我们迎来了骄阳似火的2024世界太阳能光伏暨储能产业博览会。为期三天的盛会在广州·中国进出口商品交易会展馆B区圆满落幕,这不仅是一次业内顶级的交流平台,更是全球光储产业发展的重要见证。飞虹半导体作为其中一员,感受到了来自同行与客户的热情关注,并借此新闻稿对所有的支持与关注表示衷心的感谢。
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