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本文深度解析飞虹半导体170N8F3A MOSFET在储能电源领域的应用优势,提供国产替代STP170N8F7的选型指南,帮助采购人员解决供货稳定与成本控制难题。
本文深入分析飞虹半导体100N08B MOS管在逆变电源应用中的性能优势,提供专业选型建议,帮助工程师解决进口器件替代难题。
本文通过工程师访谈,揭示国产SGTMOSFET在逆变器应用中的关键选型要点,重点解析飞虹170N1F4A如何通过100%雪崩测试解决国产替代可靠性难题。
本文详解国产MOS管FHP230N06V在12V车载逆变器中的替换方案,从参数对比、热设计到实测数据,揭示国产器件如何实现进口替代,并提供飞虹半导体的专业选型建议。
了解飞虹半导体如何通过FHA60T65A IGBT单管成功替代仙童FGH60N60SMD,助力客户优化双转换UPS设计,提升性能与可靠性。
了解飞虹半导体的高压IGBT单管FHA75T65A,如何替代仙童FGH75N65SHDT,为不间断电源提供稳定可靠的解决方案,助力工厂采购与供应链优化。
探索飞虹半导体的igbt单管如何在离线式UPS应用中通过代换FHA60T65A型号,帮助客户解决供应链难题,实现项目突破。
了解如何根据IGBT单管参数进行选型,飞虹半导体提供高压IGBT单管FHA75T65A及其代换型号FGH75N65SHDT,助力车载逆变器等应用,实现高效可靠的电路设计。
针对48V供电的太阳能离网工频逆变器的领域,尤其是DC-DC全桥拓扑电路中,高效的电能转换与功率密度提升极度依赖核心功率器件的精准选型。功率 MOSFET 因其优异的开关速度、低导通损耗和可控性,成为中低压、大电流 DC-DC 全桥拓扑中开关管与同步整流管的靠谱选择。
在电路设计中的产品选型,必须要考虑如何在价格合理的范围内选择性价比高的产品,但又能让产品的性能做到极致。比如中等功率的UPS在选择代换NCE75ED65VT型号IGBT单管时,该如何考虑呢?
国产IGBT单管新品,采用飞虹半导体第七代场截止(Trench Field Stop VII )技术工艺设计,能达到显著降低导通损耗和开关损耗。使产品具有极低的VCE(sat)和极短的拖尾电流,为终端设计师在优化系统效率时提供有力的帮助。
MOS管是UPS将电池直流电高效、可靠地转换成交流电供给负载的核心执行元件。在实际选用产品时,工程师现在会纠结于仍然使用MOS管还是使用IGBT呢?MOSFET在低压、大电流应用中的效率通常优于IGBT(绝缘栅双极晶体管),因此高压选IGBT,低压选MOS管。
4月,作为国内深耕于IGBT、MOS管的厂家代表,飞虹半导体成功参加了第104届中国电子展(深圳)以及慕尼黑上海电子展,两大行业盛会圆满落幕。
第104届中国电子展即CITE2025即将在深圳会展中心(福田)隆重举办。2025年4月9-11日飞虹半导体受邀参展,携其在大功率分立器件领域的创新成果——MOS管、IGBT、肖特基等系列产品亮相展会。与参展者围绕“科技创新·“圳”在变革”的主题共襄盛典,展望电子产业的未来。
在辞旧迎新之际,广州飞虹半导体科技有限公司党支部积极响应党的号召,深入贯彻落实习近平新时代中国特色社会主义思想,全面落实党的二十大及第二十届二中、三中全会精神。
在炽热的八月,我们迎来了骄阳似火的2024世界太阳能光伏暨储能产业博览会。为期三天的盛会在广州·中国进出口商品交易会展馆B区圆满落幕,这不仅是一次业内顶级的交流平台,更是全球光储产业发展的重要见证。飞虹半导体作为其中一员,感受到了来自同行与客户的热情关注,并借此新闻稿对所有的支持与关注表示衷心的感谢。
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